Nano transistores de efecto de campo tipo aleta para aplicaciones digitales
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El objetivo de este trabajo es proporcionar a los estudiantes electrónica, computación y áreas afines, un panorama la construcción funcionamiento transistores efecto campo aleta (FinFET), cuales son dispositivos extremadamente diminutos, con longitud compuerta en el rango nanómetros, se fabrican técnica silicio sobre aislante (SOI). Utilizando FinFETs tipo n p diseñaron diagramas esquemáticos las formas dimensiones materiales utilizando código colores (layouts) compuertas lógicas básicas, base para diseño mayoría digitales utilizados aparatos electrónicos modernos, principalmente portátiles. Con tamaños tan reducidos FinFET todos microprocesadores, DSPs, memorias, chips teléfonos celulares tabletas compañías electrónicas más importantes del mundo.
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ژورنال
عنوان ژورنال: PÄDI boletín científico de ciencias básicas e ingenierías del ICBI
سال: 2021
ISSN: ['2007-6363']
DOI: https://doi.org/10.29057/icbi.v9iespecial.7218